ХІМІЧНЕ РОЗЧИНЕННЯ InAs, InSb, GaAs ТА GaSb В ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЯХ (NH4)2Cr2O7−HBr−H2O

Автор(и)

  • I. V. Levchenko Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • V. M. Tomashyk Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • I. B. Stratiychuk Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • G. P. Malanych Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • A. A. Korchovyi Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/2304-0947.2017.3(63).109390

Ключові слова:

травильні композиції, хіміко-динамічне полірування, швидкість трав- лення, уявна енергія активації

Анотація

Проведено дослідження особливостей взаємодії InAs, InSb, GaAs та GaSb з травильними розчинами (NH4)2Cr2O7−HBr−H2O. Визначено вплив складу травника, його швидкості перемішування та температури на швидкість розчинення підкладок. Установлений дифузійний механізм процесу розчинення кристалів (Еа=8,1-9,7кДж/моль). Показано, що хіміко-динамічне полірування травниками складу (NH4)2Cr2O7−HBr−H2O зменшує структурні порушення напівпровідників (Ra=0,2-9,3 нм).

Посилання

Del Alamo J.A. Nanometre-scale electronics with III–V compound semiconductors. Nature, 2011, vol, 479, pp. 317-323. http://dx.doi.org/10.1116/1.58483.

Protsesy zhydkostnoho khimicheskoho travlenia. Uchebnoe posobie, Sankt-Peterburh, 2008, 142 p.

Perevoshhikov V.A. Processy himiko-dinamicheskogo polirovanija poverhnosti poluprovodnikov. Vysokochistye veshhestva, 1995, vol. 2, pp. 5-29. (in Russian)

Shinoda K. Highly reliable InGaAsP/InP lasers with defect-free regrowth interfaces formed by newly composed HBr-based solutions. International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. Conference Proceedings, Nara, Japan, 2001, pp. 409-412. http://dx.doi.org/10.1109/ICIPRM.2001.929145.

Reverchon J.L., Carras M., Marre G., Renard C., Berger V., Vinter B., Marcadet X. Design and fabrication of infrared detectors based on lattice-matched InAs0.91Sb0.09 on GaSb. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2004, vol. 20, no 3-4, pp. 519-522. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2003.09.001.

Vanhollebeke K., D’Hondt M., Moerman I., Van Daele P., Demeester P. MOVPE based Zn diffusion into InP. J. Crystal, Growth, 2001, vol. 233, pp. 132-140. http://dx.doi.org/10.1016/S0022-0248(01)01534-2.

Da Silva F.W.O. Study of GaSb (001) substrate chemical etching for molecular-beam epitaxy. J. Vac. Sci. Technol. B, 1990, vol. 8, no 1, pp. 75-78. http://dx.doi.org/10.1116/1.58483

Kutty M.N., Plis E., Khoshakhlagh A., Myers S., Gautam N., Smolev S., Sharma Y.D., Dawson R., Krishna S., Lee S.J. and Noh S.K. Study of surface treatments on InAs/GaSb superlattice LWIR Detectors. J. Electron. Materials, 2010, vol. 39, no 10, pp. 2203-2209. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-010-1242-0.

Levchenko I.V., Stratiychuk I.B., Tomashyk V.M., Malanych G.P. Influence of the C4H6O6 concentration in the (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6 composition on the chemical-dynamic polishing of the III-V semiconductors. Physics and chemistry of solidstate, 2016, vol. 17, no 4, pp. 604-610. http://dx.doi.org/10.15330/pcss.17.4.604-610.

Novik F. S. Planirovanie eksperimenta na simplekse pri izuchenii metallurgicheskih sistem. M.: Metallurgiya, 1985, 256 p. (in Russian)

De Salvo G.C., Tseng W.F., Comas J. Etch rate and selectivities of citric acid/hydrogen peroxide on GaAs, Al0.3Ga0.7As, In0.2Ga0.8As, In0.53Ga0.47As, In0.52Al0.48As and InP. J. Electrochem. Soc, 1992, vol. 139, no 3, pp. 831- 835. http://dx.doi.org/10.1149/1.2069311. 12. Pop S.S., Sharodi I.S. Fizychna elektronika. Lviv: Yevrosvit, 2001, 250 p. (in Ukrainian)

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-09-01

Як цитувати

Levchenko, I. V., Tomashyk, V. M., Stratiychuk, I. B., Malanych, G. P., & Korchovyi, A. A. (2017). ХІМІЧНЕ РОЗЧИНЕННЯ InAs, InSb, GaAs ТА GaSb В ТРАВИЛЬНИХ КОМПОЗИЦІЯХ (NH4)2Cr2O7−HBr−H2O. Вісник Одеського національного університету. Хімія, 22(3(63), 63–72. https://doi.org/10.18524/2304-0947.2017.3(63).109390

Номер

Том 22 № 3(63) (2017)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2017 Вісник Одеського національного університету. Хімія

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.

Правовласниками опублікованого матеріалу являються авторський колектив та засновник журналу на умовах, що визначаються видавничою угодою, що укладається між редакційною колегією та авторами публікацій. Ніяка частина опублікованого матеріалу не може бути відтворена без попереднього повідомлення та дозволу автора.

Публікація праць в Журналі здійснюється на некомерційній основі. Комісійна плата за оформлення статті не стягується.