DOI: https://doi.org/10.18524/2304-0947.2018.2(66).125363

КРИСТАЛІЧНА СТРУКТУРА СПОЛУК Er2,34Се(Pr)0,66Ge1,28S7

O. V. Smitiukh, L. D. Gulay, O. V. Marchuk

Анотація


Тетрарні сполуки Er2,34Се(Pr)0,66Ge1,28S7 утворюються у квазіпотрійних системах Er2S3 – R2S3 – GeS2 (R – Ce, Pr) за температури 770 К. Рентгенівським методом порошку встановлено, що ці сполуки кристалізуються у структурному типі – Dy3Ge1,25S7 (просторова група P63). У структурі тетрарних сполук атоми статистичної суміші (Er + R) утворюють тригональні антипризми [(Er + R)7S], які вкладаються сферично навколо октаедрів [Ge26S], наступна сфера навколо цих антипризм складається з [Ge14S]-тетраедрів.


Ключові слова


рідкісноземельні метали; кристалічна структура; рентгенівський метод порошку

Повний текст:

PDF

Посилання


Lytovchenko V.G., Strikha M.V. 100 years of semiconductor science. The Ukrainian contribution. Europhysics News. 2014, vol. 45, no 1, pp.15-18. https://doi.org/10.1051/epn/2014101

Gulay L.D., Daszkiewicz M., Marchuk O.V. Quaternary R2X3 – PbX – ZX2 (X = S, Se; Z = Si, Ge, Sn) Chalcogenides. Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earths, 2015, vol. 48. – pp. 109-162. https://doi.org/10.1016/B978-0-444-63483-2.00002-8

Marchuk O.V., Gulay L.D. Kvazipotriyni khal’kohenidni systemy R2X3 – PbX – DIVX2 (R – RZM; DIV – Si, Ge,Sn; X – S, Se): monohrafiya. Vezha-Druk, 2018, 132 p. (in Ukrainian)

Daszkiewicz M., Smitiukh O., Marchuk О., Gulay L. Crystal Structure of Er2.355La0.645Ge1.285S7. Konwersatorium Krystalograficzne Warsztaty, wręczenie nagrody i walne zebranie PTK Wrocław, 28 – 30 VI 2017 r, p. 314.

Daszkiewicz M., Smitiukh O.V., Marchuk О.V., Gulay L.D. The crystal structure of Er2.34La0.66Ge1.28S7 and the LaxRyGe3S12 phases (R – Tb, Dy, Ho and Er). J. Alloys and compounds, 2018, vol. 738, pp. 263-269. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.12.207

Grin Y., Akselrud L. WinCSD: Software package for crystallographic calculations (Version 4). J. Appl. Cryst,2014, no 47, pp. 803-805. https://doi.org/10.1107/s1600576714001058

Michelet A., Mazurier A., Collin G. Etude structurale des systemes Ln2S3 – GeS2. J. Solid State Chem, 1975, vol. 13, рр. 65-76. https://doi.org/10.1016/0022-4596(75)90082-1

Shannon R.D. Revised effective ionic radii and systematic studied of interatomic distances in halides and chalcogenides.Acta Cryst, 1976, vol. 39, pp. 751-767. https://doi.org/10.1107/S0567739476001551.


Пристатейна бібліографія ГОСТ


1. Lytovchenko V. G. 100 years of semiconductor science. The Ukrainian contribution / V. G. Lytovchenko, M. V. Strikha  // Europhysics News – 2014. – V.45(1) – P.15-18.

2. Gulay L. D. Quaternary R2X3 – PbX – ZX2 (X = S, Se; Z = Si, Ge, Sn) Chalcogenides / L. D. Gulay, M. Daszkiewicz, O. V. Marchuk // Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earths. – 2015. – V.48. – P.109-162

3. Марчук О. В. Квазіпотрійні халькогенідні системи R2X3 – PbX – DIVX2 (R – РЗМ; DIV – Si, Ge, Sn; X – S, Se) : монографія / О. В. Марчук, Л. Д. Гулай. - Вежа-Друк, 2018. – 132 с.

4. Daszkiewicz M. Crystal Structure of Er2.355La0.645Ge1.285S7/ M. Daszkiewicz, O. Smitiukh, О. Marchuk, L. Gulay // Konwersatorium Krystalograficzne Warsztaty, wręczenie nagrody i walne zebranie PTK Wrocław, 28 – 30 VI 2017 r. – P.314

5. Daszkiewicz M. The crystal structure of Er2.34La0.66Ge1.28S7 and the LaxRyGe3S12 phases (R – Tb, Dy, Ho and Er) / M. Daszkiewicz, O.V. Smitiukh,  О.V. Marchuk, L.D. Gulay // J. Alloys and compounds. – 2018. – V.738. – Р.263-269.

6. Grin Y. WinCSD: Software package for crystallographic calculations (Version 4) / Y. Grin, L. Akselrud // J. Appl. Cryst. – 2014. – № 47. – P.803-805.

7. Michelet A. Etude structurale des systemes Ln2S3 – GeS2 / A. Michelet, A. Mazurier, G. Collin // J. Solid State Chem. – 1975. – Vol. 13. – P.65-76.

8. Shannon R. D. Revised effective ionic radii and systematic studied of interatomic distances in halides and chalcogenides / R. D. Shannon  // Acta Cryst. – 1976. – V.39. – P.751-767.




Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.